Samsung Electronics เริ่มส่งมอบหน่วยความจำ HBM4 (High Bandwidth Memory) มาตรฐานใหม่ล่าสุดให้กับลูกค้าเป็นที่เรียบร้อยแล้ว พร้อมเผยแผนเตรียมส่งตัวอย่าง HBM4E รุ่นถัดไปภายในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ เพื่อรองรับการขยายตัวของเทคโนโลยี AI ที่ต้องการความเร็วในการประมวลผลระดับมหาศาล
ทลายขีดจำกัดด้วยเทคโนโลยี 1c DRAM และ 4nm
Samsung ได้เลือกใช้กระบวนการผลิต DRAM ระดับ 10 นาโนเมตร รุ่นที่ 6 หรือที่เรียกว่า “1c” ร่วมกับ Logic Base Die ขนาด 4 นาโนเมตร เพื่อรีดประสิทธิภาพสูงสุด ซึ่งแตกต่างจากผู้ผลิตรายอื่นที่มักเลือกใช้ดีไซน์เดิมที่พิสูจน์แล้ว แต่ Samsung เลือกก้าวกระโดดสู่เทคโนโลยีที่ล้ำสมัยที่สุดเพื่อตอบโจทย์ลูกค้า
ความเร็วเหนือมาตรฐานอุตสาหกรรม
สำหรับหน่วยความจำ HBM4 สามารถทำความเร็วได้สูงถึง 11.7Gbps ต่อพิน ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานอุตสาหกรรมที่กำหนดไว้ 8Gbps ถึง 46% และเมื่อรวมพินทั้งหมด 2,048 พิน จะให้แบนด์วิดท์รวมสูงถึง 3.3 Terabytes ต่อวินาที (TB/s) ซึ่งเพิ่มขึ้นจาก HBM3E ถึง 2.7 เท่า
นอกจากเรื่องความเร็วแล้ว ซัมซุงยังให้ความสำคัญกับเรื่องพลังงานและความร้อน โดย HBM4 รุ่นนี้มีประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้น 40% และมีการระบายความร้อนที่ดีขึ้นกว่ารุ่นเดิมถึง 30% ช่วยลดปัญหาคอขวดในการประมวลผล AI ขนาดใหญ่
ไลน์อัปสินค้าและการขยายตัวในอนาคต
ปัจจุบัน HBM4 ของ Samsung ใช้เทคโนโลยีการวางเลเยอร์ซ้อนกัน 12 ชั้น (12-layer) มีความจุให้เลือกตั้งแต่ 24GB ถึง 36GB และมีแผนจะพัฒนาสู่ดีไซน์ 16 ชั้น ที่ให้ความจุสูงสุดถึง 48GB ในอนาคต
ทาง Samsung คาดการณ์ว่าความต้องการหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงจะพุ่งสูงขึ้นอย่างมากในปีนี้ โดยตั้งเป้าใยอดขายเติบโตขึ้นถึง 3 เท่าเมื่อเทียบกับปี 2025 พร้อมเตรียมส่งมอบตัวอย่าง Custom HBM ที่ปรับแต่งตามความต้องการเฉพาะของลูกค้าในปีหน้า เพื่อตอกย้ำความเป็นผู้นำในตลาดหน่วยความจำโลก
–Google เผยเทรนด์โฆษณาดิจิทัล 2026 พลิกโฉมคอมเมิร์ซด้วย Gemini 3 และ AI
